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삼성전자, 속도 높이고 전력 낮춘 ‘10나노급 D램’ 시대 개막
 
신광식 기자 기사입력 :  2016/04/05 [09:14]
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▲ 삼성전자가 개발에 성공한 세계 최소 크기의 10나노급 8Gb DDR4 D램. (사진제공 삼성전자)

 

[문화저널21=신광식 기자] 삼성전자가 10나노급 D램 시대를 개막했다.

 

삼성전자는 지난 2월부터 세계 최소 크기의 10나노급 8Gb DDR4 D랩을 양산했다고 5일 밝혔다. 이느니 지난 2014년 세계 최초로 20나노 4Gb DDR3 D램을 양산한 데 이은 것으로 반도체 미세공정의 새로운 이정표를 세웠다는 평이다.

 

특히 이번 제품에는 초고집적으로 셀을 만들기 위해 포미세 패턴을 4배 많이 형성하는 기술인 ‘사중 포토 노광 기술(Quadruple Patterning Technique)'과 삼성전자가 독자적으로 개발한 차세대 반도체 설계 기술인 ’초고집적 설계 기술‘,  ’초균일 유전막 형성 기술‘ 등 3가시 혁신 기술이 적용됐다.

 

새로 양산되는 10나노 제품은 기존 20나노 보다 30% 빠른 3200Mbps의 동작속도를 자랑한다. 뿐만 아니라 동작 상태에 따라 소비전력을 10~20% 절감할 수 있는 솔루션도 포함되어 있다.

 

삼성전자는 올해 용량과 성능을 동시에 높인 10나노급 모바일 D램도 양산해 PC, 서버 시장에 이어 초고해상도 스마트폰 시장을 선점한다는 계획이다.

 

삼성전자 메모리사업부 전영현 사장은 “차세대 초고용량 초절전 모바일 D램 출시를 통해 모바일 시장 선도 기업들이 혁신적인 제품을 적기에 출시할 수 있도록 기여할 것”이라고 밝혔다. 



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